Navitas desenvolve semicondutores de potência para plataformas de IA de 800 VDC da NVIDIA

Publicado 13.10.2025, 17:46
Navitas desenvolve semicondutores de potência para plataformas de IA de 800 VDC da NVIDIA

TORRANCE, Califórnia - A Navitas Semiconductor (NASDAQ:NVTS), cuja ação subiu mais de 350% nos últimos seis meses de acordo com dados do InvestingPro, anunciou avanços no desenvolvimento de dispositivos avançados de nitreto de gálio (GaN) e carbeto de silício (SiC) de 800 VDC para suportar a nova arquitetura de energia de 800 VDC da NVIDIA para plataformas de computação de IA de próxima geração.

A nova arquitetura aborda desafios de energia em fábricas de IA - data centers construídos especificamente para cargas de trabalho de IA em larga escala e computação de alto desempenho - onde a distribuição de energia tradicional de 54V em rack não consegue mais atender aos requisitos de densidade de rack de vários megawatts. Com um balanço sólido mostrando um índice de liquidez corrente de 8,23 e uma dívida-patrimônio mínima de 0,02, a Navitas parece bem posicionada para financiar suas iniciativas de avanço tecnológico.

De acordo com o comunicado da empresa, a distribuição de energia de 800 VDC permite a conversão direta da energia da rede para 800 VDC dentro dos data centers, eliminando múltiplos estágios de conversão tradicionais. Essa abordagem visa maximizar a eficiência energética, reduzindo perdas e melhorando a confiabilidade do sistema.

A Navitas introduziu um novo portfólio de GaN FET de 100V especificamente projetado para estágios DC-DC de baixa tensão em placas de alimentação de GPU. A empresa afirmou que esses componentes são fabricados em um processo GaN-on-Si de 200mm através de uma parceria estratégica com a Power Chip.

Além disso, a Navitas oferece produtos GaN de 650V e MOSFETs SiC de alta tensão para suportar vários estágios de conversão de energia na infraestrutura de data centers.

"À medida que a NVIDIA impulsiona a transformação na infraestrutura de IA, temos orgulho de apoiar essa mudança com soluções avançadas de energia GaN e SiC que permitem a eficiência, escalabilidade e confiabilidade exigidas pelos data centers de próxima geração", disse Chris Allexandre, Presidente e CEO da Navitas, no comunicado.

A empresa posiciona sua tecnologia como suporte a toda a cadeia de energia "da rede à GPU" em data centers modernos de IA, com soluções tanto para a distribuição de alta tensão quanto para os estágios de conversão no ponto de carga necessários para plataformas de computação avançadas como a Rubin Ultra da NVIDIA.

A Navitas Semiconductor é negociada na Nasdaq sob o ticker NVTS. Embora a empresa enfrente desafios de curto prazo, com analistas projetando queda nas vendas este ano, a análise do InvestingPro revela 13 insights adicionais importantes sobre a saúde financeira e posição de mercado da empresa. Os investidores podem acessar o Relatório de Pesquisa Pro abrangente, disponível exclusivamente para assinantes, para uma análise detalhada da posição de mercado da NVTS entre as principais 1.400+ ações dos EUA.

Em outras notícias recentes, a Navitas Semiconductor fez avanços significativos no desenvolvimento de dispositivos de potência GaN e SiC de 800 VDC para as plataformas de IA de próxima geração da NVIDIA. Este desenvolvimento aborda os desafios de energia apresentados pela nova arquitetura de fábrica de IA da NVIDIA, que requer sistemas de distribuição de energia mais avançados. Enquanto isso, a Navitas anunciou uma transição de CEO com Chris Allexandre assumindo como Presidente e CEO em 1º de setembro de 2025, sucedendo o cofundador Gene Sheridan. Diante dessa transição, a Rosenblatt reiterou a classificação de Compra para a Navitas, embora tenha reduzido o preço-alvo da ação para US$ 8,00, citando resultados trimestrais que atenderam às expectativas, mas incluíram orientações abaixo das estimativas de consenso.

A Craig-Hallum, no entanto, rebaixou a Navitas de Compra para Manter, estabelecendo um preço-alvo de US$ 6,00. Este rebaixamento foi atribuído à fraca orientação de vendas do terceiro trimestre, que a Craig-Hallum vinculou a problemas tarifários afetando produtos de carbeto de silício no mercado chinês de veículos elétricos e foco reduzido em mercados móveis de baixo custo na China. Além disso, cortes nos créditos fiscais solares foram observados como um fator contribuinte. Esses desenvolvimentos refletem as mudanças dinâmicas e os desafios que a Navitas enfrenta na indústria de semicondutores.

Essa notícia foi traduzida com a ajuda de inteligência artificial. Para mais informação, veja nossos Termos de Uso.

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