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Ações da Navitas disparam com avanço em tecnologia 800V para plataformas de IA da NVIDIA

Publicado 13.10.2025, 17:45
© Reuters

Investing.com -- As ações da Navitas Semiconductor Corp (NASDAQ:NVTS) subiram 18,8% nas negociações após o fechamento do mercado na segunda-feira, após a empresa anunciar avanços no desenvolvimento de dispositivos de potência GaN e SiC de 800 VDC para as próximas plataformas de computação para fábricas de IA da NVIDIA.

A empresa, especializada em semicondutores de potência de nitreto de gálio e carbeto de silício, está se posicionando para enfrentar os desafios energéticos apresentados pela nova arquitetura de fábrica de IA da NVIDIA. Os tradicionais sistemas de distribuição de energia em rack de 54V não conseguem mais atender às densidades de rack de vários megawatts exigidas pelas plataformas de computação acelerada atuais, necessitando uma mudança para distribuição de energia de 800 VDC.

Esta nova arquitetura promete maior eficiência ao reduzir perdas resistivas, infraestrutura escalável para potência de rack em escala de MW e distribuição de energia simplificada com gerenciamento térmico eficiente. O sistema de 800 VDC permite conversão direta da energia da concessionária para os data centers, eliminando múltiplos estágios de conversão tradicionais.

A Navitas introduziu um novo portfólio de GaN FET de 100V otimizado para estágios DC-DC de baixa tensão em placas de alimentação de GPU, fabricado em um processo GaN-on-Si de 200mm através de uma parceria estratégica com a Power Chip. A empresa também desenvolveu uma nova linha de GaN FETs de alta potência de 650V com tecnologia GaNSafe que integra recursos de controle, acionamento, detecção e proteção.

"À medida que a NVIDIA impulsiona a transformação na infraestrutura de IA, temos orgulho de apoiar essa mudança com soluções avançadas de energia GaN e SiC que proporcionam a eficiência, escalabilidade e confiabilidade exigidas pelos data centers de próxima geração", disse Chris Allexandre, Presidente e CEO da Navitas.

A tecnologia GeneSiC da empresa, baseada em mais de 20 anos de inovação em SiC, oferece faixas de tensão de 650V a 6.500V e foi implementada em projetos de armazenamento de energia em escala de megawatt e inversores conectados à rede, incluindo colaborações com o Departamento de Energia dos EUA.

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