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Investing.com -- As ações da Power Integrations (NASDAQ:POWI) dispararam 20% na segunda-feira após a empresa detalhar sua tecnologia PowiGaN de nitreto de gálio para data centers de IA de próxima geração com 800 VDC.
A especialista em circuitos integrados de alta tensão revelou que está colaborando com a NVIDIA para acelerar a transição para energia de 800 VDC e racks em escala de megawatt. A empresa publicou um white paper na OCP Global Summit 2025 em San Jose, explicando as capacidades de sua tecnologia PowiGaN de 1250 V e 1700 V.
De acordo com o white paper, os HEMTs PowiGaN de 1250 V da Power Integrations, pioneiros no setor, oferecem maior densidade de potência e eficiência em comparação com os GaN FETs empilhados de 650 V e dispositivos SiC concorrentes de 1200 V. A empresa destacou que sua tecnologia pode atender aos requisitos de eficiência (>98%) da arquitetura de 800 VDC.
"Com o aumento das demandas de energia para IA, a mudança para uma entrada de 800 VDC simplifica o design do rack, utiliza o espaço de forma mais eficiente e reduz o uso de cobre", disse Roland Saint-Pierre, vice-presidente de desenvolvimento de produtos da Power Integrations.
A empresa também apresentou seus CIs InnoMux-2-EP como uma solução para fontes de alimentação auxiliares em data centers de 800 VDC, observando que o interruptor PowiGaN integrado de 1700 V suporta tensão de entrada de 1000 VDC.
A Power Integrations introduziu seus primeiros CIs GaN em 2018 e atualmente possui mais de 175 milhões de interruptores GaN em uso em várias aplicações, incluindo carregadores rápidos, data centers e veículos elétricos.
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