Navitas Semiconductor na conferência Baird: impulsionando data centers de IA

Na terça-feira, 03 de junho de 2025, a Navitas Semiconductor (NASDAQ:NVTS) apresentou na Conferência Global de Consumo, Tecnologia e Serviços da Baird 2025. A empresa destacou sua mudança estratégica para soluções de energia de alta tensão para data centers de IA, abordando tanto as perspectivas de crescimento quanto os desafios do mercado. O CEO Gene Sheridan enfatizou a posição única da Navitas com tecnologias de nitreto de gálio (GaN) e carboneto de silício (SiC), visando um crescimento significativo de receita nos próximos anos.

Principais destaques

• A Navitas é a única empresa que oferece tecnologias GaN e SiC sem sistemas legados de silício.
• A empresa está pronta para se beneficiar da arquitetura de 800V da NVIDIA para data centers de próxima geração.
• A Navitas espera impacto substancial na receita proveniente de data centers até 2026-2027.
• O foco está mudando de carregadores móveis para data centers, veículos elétricos e inversores solares.
• Mais de 200 patentes protegem a tecnologia integrada de GaN IC da Navitas, garantindo vantagem competitiva.

Resultados financeiros

• GaN experimentou um crescimento de 50% no ano passado, com expectativas de crescimento acelerado até o final do ano.
• O mercado de SiC enfrentou uma desaceleração devido a correções de inventário.
• A Navitas lançou seus primeiros chips GaN em 2018, alcançando rápida adoção em carregadores móveis.

Atualizações operacionais

• A Navitas conquistou 40 projetos no ano passado, totalizando 70 projetos de clientes.
• A empresa lançou chips GaN para o mercado de data centers no final do ano passado e está aumentando a produção.
• A colaboração com a NVIDIA concentra-se na arquitetura de 800V para data centers avançados.
• A amostragem de GaN de baixa tensão para conversores DC-DC de 48V está em andamento, com envios esperados para o próximo ano.

Perspectivas futuras

• Impacto significativo na receita proveniente de data centers é previsto a partir do final de 2026, aumentando em 2027 e 2028.
• GaN está se expandindo para novos mercados, incluindo solar e veículos elétricos, nos próximos trimestres.
• Espera-se que a expansão da IA da nuvem para dispositivos de borda impulsione a demanda por soluções de energia da Navitas.
• Exploração da expansão de módulos de energia está em andamento, aproveitando GaN, controladores de silício e magnéticos de alta frequência.
• A empresa planeja lançar a quinta geração de tecnologias seguras de GaN.

Destaques da sessão de perguntas e respostas

• A tecnologia GaN IC da Navitas é uma vantagem competitiva fundamental, protegida por mais de 200 patentes.
• Um acordo de licenciamento cruzado com a Infineon oferece opções de fornecimento duplo para clientes.
• O negócio de SiC concentra-se em ultra-alta tensão e confiabilidade para conectividade de rede.
• Potenciais oportunidades de colaboração são vistas com a MPS, que não possui capacidades GaN/SiC, mas fabrica módulos.
• GaN atingirá limites de tensão, enquanto SiC continuará a ter melhor desempenho em altas tensões.

Em conclusão, a Navitas Semiconductor está estrategicamente posicionada para capitalizar a crescente demanda por soluções energéticas eficientes em IA, data centers e além. Os leitores são convidados a consultar a transcrição completa para insights mais detalhados.

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